Akamastu 赤松電機(jī) 油霧集塵機(jī)在CMP研磨設(shè)備上的應(yīng)用

更新時(shí)間：2026-01-24

瀏覽次數(shù)：150

Akamastu 赤松電機(jī) 油霧集塵機(jī)在CMP研磨設(shè)備上的應(yīng)用，化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）核心技術(shù)、漿料表征與污染控制體系優(yōu)化總結(jié)

半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵平坦化技術(shù)，核心目標(biāo)是通過(guò)選擇性材料去除，實(shí)現(xiàn)晶圓表面接近原子級(jí)的平坦度，為器件結(jié)構(gòu)成型奠定基礎(chǔ)。

雙重協(xié)同作用：化學(xué)氧化軟化（研磨液特定化學(xué)配方與晶圓表面發(fā)生反應(yīng)，降低材料硬度）+ 機(jī)械研磨去除（研磨液中納米級(jí)磨料顆粒物理剝離軟化層）。
關(guān)鍵挑戰(zhàn)：① 研磨過(guò)程產(chǎn)生化學(xué)產(chǎn)物、磨屑及漿料霧滴，設(shè)備運(yùn)行（如傳動(dòng)部件潤(rùn)滑）會(huì)生成油霧，二者易附著晶圓表面形成復(fù)合污染，直接影響器件良率；② 后續(xù)清洗需去除顆粒、有機(jī)殘留、金屬污染物及油霧衍生物，且不能造成劃痕、腐蝕、介電常數(shù)漂移等二次損傷。

漿料性能直接決定 CMP 工藝的去除率、晶圓缺陷率、平坦化精度，核心表征指標(biāo)聚焦 3 點(diǎn)：

表征技術(shù)	核心設(shè)備 / 技術(shù)細(xì)節(jié)	測(cè)量范圍	核心優(yōu)勢(shì)	適用場(chǎng)景
激光衍射粒度分析	HORIBA LA-960V2	10nm - 5000μm	快速精準(zhǔn)、覆蓋寬粒徑范圍，可量化微量超大顆粒	常規(guī) CMP 漿料全粒徑表征（主顆粒 + 聚集體）
動(dòng)態(tài)光散射（DLS）	HORIBA SZ-100V2	<100nm	低樣品加載量、適配低濃度樣品	補(bǔ)充表征最小納米級(jí)顆粒（<100nm）
熒光相關(guān)光譜（FCS）	單分子光譜技術(shù) + Viewsizer 3000 mNTA	<10nm（流體動(dòng)力學(xué)直徑）	對(duì)超小顆粒敏感，與 mNTA 互補(bǔ)	制程（小特征尺寸）漿料表征
Zeta 電位測(cè)量	專用 Zeta 電位分析儀	-	關(guān)聯(lián)漿料 pH 值與拋光劑表面電荷，優(yōu)化流體化學(xué)	漿料穩(wěn)定性調(diào)控、拋光劑表面電荷表征

針對(duì) CMP 工藝的油霧 - 顆粒復(fù)合污染，提供源頭凈化解決方案，其核心價(jià)值是保障晶圓潔凈度、設(shè)備精度與車間環(huán)保合規(guī)，與漿料表征、后段清洗形成污染控制閉環(huán)。

設(shè)備參數(shù) / 特性	具體指標(biāo)	對(duì) CMP 工藝的核心價(jià)值
污染物捕集效率	0.3μm 顆粒達(dá) 99.93%，兼容油性 / 水溶性污染物	精準(zhǔn)捕獲 CMP 漿料霧滴（含納米級(jí)磨料）、設(shè)備油霧，避免污染晶圓表面與表征設(shè)備透鏡
處理風(fēng)量	27.5-33 m3/min（HVS-2500 型號(hào)）	適配大型 CMP 設(shè)備集群，快速抽排高濃度污染氣流，控制污染擴(kuò)散范圍
結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)	離心預(yù)分離 + 多層復(fù)合濾芯，防泄漏密封	避免凈化過(guò)程中二次泄漏污染，適配半導(dǎo)體潔凈室環(huán)境
維護(hù)特性	無(wú)工具快拆，5 分鐘內(nèi)完成濾芯更換	減少生產(chǎn)線停機(jī)時(shí)間，降低運(yùn)維成本
合規(guī)性	符合 CE、GB、RoHS 環(huán)保規(guī)范	滿足半導(dǎo)體行業(yè)嚴(yán)格環(huán)保要求，規(guī)避合規(guī)風(fēng)險(xiǎn)

源頭控制：在 CMP 設(shè)備研磨區(qū)域上方構(gòu)建局部負(fù)壓環(huán)境，快速捕獲研磨液霧化顆粒（如 50-250nm 磨料霧滴）與機(jī)械油霧，減少污染物附著晶圓的概率，降低后段清洗壓力；
設(shè)備保護(hù)：避免油霧與顆粒混合物沉積在 CMP 研磨頭、傳動(dòng)部件及漿料表征設(shè)備（如光譜橢偏儀、粒度分析儀）的光學(xué)元件上，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命并保障表征數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性；
全流程適配：兼容 CMP 工藝的 25-90℃工作溫度范圍，標(biāo)準(zhǔn)法蘭接口可直接對(duì)接車間通風(fēng)管路，無(wú)需大幅改造現(xiàn)有生產(chǎn)線。

表征 - 凈化協(xié)同：激光衍射（全粒徑表征）+ DLS/FCS（細(xì)顆粒檢測(cè)）+ 赤松油霧集成機(jī)（源頭凈化）+ 后段清洗，形成 “漿料質(zhì)量把控 - 污染源頭攔截 - 殘留精準(zhǔn)去除" 的全鏈條控制，可使晶圓缺陷率降低 2%-5%；
油霧凈化選型建議：針對(duì)單臺(tái) CMP 設(shè)備可配置赤松 HVS-100/HVS-220 小型機(jī)型，大型生產(chǎn)線集群建議采用 HVS-2500 大風(fēng)量機(jī)型實(shí)現(xiàn)集中凈化，兼顧凈化效率與能耗優(yōu)化；
前沿應(yīng)用延伸：結(jié)合 Zeta 電位測(cè)量?jī)?yōu)化漿料 pH 值，可減少研磨液霧化傾向，與赤松集成機(jī)的離心預(yù)分離技術(shù)形成互補(bǔ)，進(jìn)一步提升污染控制效率。
Akamastu 赤松電機(jī) 油霧集塵機(jī)在CMP研磨設(shè)備上的應(yīng)用，主要推薦型號(hào)：SMG，HVS，SMX